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　　外圍電路串聯(lián)了放電保護(hù)MOS管和充電保護(hù)MOS管，COUT輸出信號(hào)被加在充電保護(hù)MOS管的柵上，COUT為低電平則充電MOS管被關(guān)斷，反之則導(dǎo)通。對(duì)DOUT輸出信號(hào)的工作方式和COUT相同，當(dāng)VDD電壓降到VREL1－以下后，COUT輸出一個(gè)高電平重新讓外圍電路進(jìn)行工作。

　　當(dāng)對(duì)鋰離子電池進(jìn)行放電時(shí)，電壓由高到低變化，如果電壓低于VDET2（過(guò)放門(mén)限電壓），一個(gè)TVDET2延遲后，在芯片引腳DOUT輸出一個(gè)低電平切斷外圍電路，不再對(duì)鋰離子電池進(jìn)行放電。當(dāng)檢測(cè)到V－腳處電壓大于VDET3（過(guò)流檢測(cè)門(mén)限電壓），一個(gè)TVDET3延遲后在DOUT輸出一個(gè)低電平，切斷外圍電路。假如電壓進(jìn)一步增大超過(guò)Vshort，則短路保護(hù)電路立即輸出一個(gè)低電平切斷外圍電路。

　　芯片的功能電路的設(shè)計(jì)基準(zhǔn)電路的設(shè)計(jì)電壓基準(zhǔn)電路的輸出電壓可調(diào)，NMOS管的源漏并聯(lián)有可調(diào)開(kāi)關(guān)。由于在集成電路制造過(guò)程中難免存在工藝誤差，導(dǎo)致基準(zhǔn)電壓輸出與標(biāo)稱(chēng)值的偏差。

　　通過(guò)激光對(duì)開(kāi)關(guān)通斷的控制可以對(duì)輸出電壓進(jìn)行調(diào)節(jié)。使輸出和標(biāo)稱(chēng)值相吻合。和開(kāi)關(guān)相并聯(lián)的NMOS管的導(dǎo)通電阻比較小，在調(diào)節(jié)過(guò)程中，不會(huì)導(dǎo)致輸出JIZHUN電壓的大幅變化。中的M1、M2、M3、M4為耗盡NMOS管，柵源相連并工作在飽和區(qū)，NMOS管的溝道調(diào)制效應(yīng)可以忽略。當(dāng)電源電壓變化時(shí)，這種變化轉(zhuǎn)化為VDS變化，對(duì)電流不會(huì)產(chǎn)生影響。VGS1為M5、M6、M7等效成一個(gè)MOS管之后的柵源電壓，VGS2為M8、M9、M10等效成一個(gè)MOS管之后的柵源電壓。M5￣M10為增強(qiáng)型MOS管，工作在飽和狀態(tài)。電壓VJIZHUN輸出用來(lái)做中比較器VD1和VD2的基準(zhǔn)電壓。

　　偏置電路的設(shè)計(jì)偏置電路如，PIANZHI1是用來(lái)偏置電路中若干PMOS管，PIANZHI2是用來(lái)偏置電路中若干NMOS管。使被偏置的NMOS管和PMOS管都工作在飽和狀態(tài)。在應(yīng)用中，N4、N5兩個(gè)PMOS管組成電流鏡，N6管的二極管接法構(gòu)成了一個(gè)有源電阻，N7、N8、N9三個(gè)耗盡NMOS管和電阻R1組成了一個(gè)恒流源，通過(guò)調(diào)節(jié)R1來(lái)調(diào)節(jié)流過(guò)N5的電流，從而決定流過(guò)N4的電流，而電流和N6管的電阻值共同決定PIANZHI2電壓的輸出值。

(責(zé)任編輯：王杰)